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1纳米晶体管的诞生增加了当前的14纳米芯片工艺

来源:365bet体育投 作者:365bet赌场 发布时间:2019-09-12
[TechWeb报道]据海外媒体报道,10月9日美国劳伦斯伯克利国家实验室的最新消息。我们克服了物理限制,开发出世界上最小的1纳米晶体管。
这意味着未来的处理器性能和能耗将得到显着提升。
1nm晶体管诞生秒杀当前的14nm主流芯片工艺
晶体管工艺尺寸一直是计算机技术进步的有力指标,劳伦斯伯克利国家实验室已将最复杂的晶体管工艺从14纳米减少到1纳米。未来,电子产品领域,处理器性能和功耗将会更低,消费量将大幅增加。
这项研究由Ali教授和middot领导的团队进行。AliJavey使用一种名为碳纳米管和二硫化钼的化合物开发出世界上最小的晶体管。
从芯片制造的角度来看,7纳米是物理极限。
如果晶体管尺寸低于该值,则物理上集中并且发生量子隧穿机制,防止电流从源流到漏极。
因此,业界普遍认为解决该问题需要破坏现有的逻辑门电路设计并继续在各种逻辑门之间传输电子。
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德赛说:我们的研究表明5nm以下的栅极并非不可能。
人们总是使用硅材料来减小电子元件的尺寸。
由于选择二硫化钼,留下硅材料,开发出仅1纳米的门。
劳伦斯伯克利国家实验室1纳米晶体管由碳纳米管和二硫化钼(MoS2)制成。MoS2负责原始半导体,碳纳米管控制逻辑门中的电子流动。
目前,我们使用的主要芯片工艺是14纳米。明年,整个行业将从10纳米工艺开始。
尿布仍在进行实验室研究,一个模具中有超过10亿个晶体管。大规模生产的难度太大,无法将晶体管减小到1纳米。
(室外)





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